IPP530N15N3 G
Infineon Technologies
Deutsch
Artikelnummer: | IPP530N15N3 G |
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Hersteller / Marke: | Cypress Semiconductor (Infineon Technologies) |
Teil der Beschreibung.: | IPP530N15N3 G Infineon Technologies |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | Lead free / RoHs compliant |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
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Anzahl | Einzelpreis |
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1+ | $1.42 |
10+ | $1.27 |
100+ | $0.9899 |
500+ | $0.8178 |
1000+ | $0.6456 |
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 4V @ 35µA |
Vgs (Max) | ±20V |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | PG-TO220-3-1 |
Serie | OptiMOS™ |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 53 mOhm @ 18A, 10V |
Verlustleistung (max) | 68W (Tc) |
Verpackung | Tube |
Verpackung / Gehäuse | TO-220-3 |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 175°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Through Hole |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | 887pF @ 75V |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 12nC @ 10V |
Typ FET | N-Channel |
FET-Merkmal | - |
Antriebsspannung (Max Rds On, Min Rds On) | 8V, 10V |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 150V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 21A (Tc) |
IPP530N15N3 G Einzelheiten PDF [English] | IPP530N15N3 G PDF - EN.pdf |
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2024/06/6
2024/04/18
2024/04/13
2023/12/20
![]() IPP530N15N3 GInfineon Technologies |
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Zielpreis (USD)
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